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HSD的防反接方案2

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2019年08月21日  

HSD的防反接方案2


在這篇里面主要介紹上面介紹的幾種方法的問題。

1.加電阻的方法

特點(diǎn):

壓降很大,必須計算電阻的值

正向的反向的脈沖都會耦合至輸入引腳和反饋引腳

在反向?qū)ǖ臅r候,電阻的功耗相當(dāng)大

如果正脈沖進(jìn)入輸出腳,管子可能關(guān)閉


2.加二極管的方法

特點(diǎn)

固定管壓降,且負(fù)載只能是阻性負(fù)載。

負(fù)脈沖會耦合至輸入和反饋引腳


3.加二極管并聯(lián)電阻的方法

固定管壓降,負(fù)脈沖會耦合至輸入和反饋引腳

其優(yōu)點(diǎn)是,二極管和電阻都不用很特殊,正向時二極管限制了電阻的電壓,使得壓降固定,因此電阻可以選大一些。而反接的時候,只有電阻導(dǎo)通,又保證了反向電流足夠的小。

4.加Mos管的方法

無壓降,沒有脈沖耦合進(jìn)其他引腳。任意負(fù)載

高成本,額外的器件多,穩(wěn)壓管和電容都是為了防止瞬間GS電壓過大。


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