據(jù)中國2018年12月10日消息，今晚，IGBT電動中國芯比亞迪中間技能解析會在寧波威斯汀酒店進行。說起IGBT，我們大年夜大年夜多半人都對比陌生，IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是指絕緣柵雙極型晶體管，是一種大年夜大年夜功率的電力電子器件，首要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交換電，俗稱電力電子裝配的“CPU”。

IGBT與動力電池是新動力汽車的中間技能，今朝，以比亞迪為主的企業(yè)曾根基可以或許滿足國際新動力汽車動力電池需求。IGBT本錢約占整車本錢比例的5%，因為其技能門檻高、投資范圍大年夜大年夜，招致國際IGBT經(jīng)久依托于英飛凌、三菱等國際巨擘，供不該求，招致“一芯難求”，嚴重影響了國際新動力汽車的發(fā)展。

2005年，比亞迪正式進軍IGBT范圍，從2008年的1.0版本，一貫到2017年的4.0版本，比亞迪將IGBT晶圓的厚度由本來的180μm降落至120μm。全部功耗降落約20%，同時，具有更優(yōu)良的EMC，對系統(tǒng)煩擾更小，并且晉升了應用壽命。

今朝，IGBT4.0已比亞迪唐經(jīng)過多項測試。個中，在低速勻速工況、高速加快工況、0-100急加快三種工況中，整車百千米電耗約降落0.6kwh，較主流IGBT，百千米電耗降落約3%。其綜合工況功耗較主流產(chǎn)品降落約20%。

不異前提下，IGBT4.0溫升較今朝市場主流產(chǎn)品平均溫度降落18度，溫升更低，輪回壽命可以做到今后市場主流產(chǎn)品的10倍以上，靠得住性更高。同時，最大年夜大年夜輸入電流晉升了15%，具有更高的功率和扭矩，也讓車輛具有更強的加快才調(diào)。

比亞迪IGBT曾成為國際第一個完成車規(guī)級IGBT大年夜大年夜范圍量產(chǎn)的企業(yè)，打破了國際巨擘的壟斷，關于促進我國芯片家當和新動力汽車家當?shù)陌l(fā)展具有深遠影響。截至2018年11月，比亞迪累計懇求IGBT相干專利175件，個中授權專利114件。比亞迪在IGBT方面曾處于全球搶先程度，也讓中國在IGBT范圍與歐洲、日本三分世界。

今朝，比亞迪IGBT芯片晶圓的產(chǎn)能為5萬片/月，年供給新動力汽車60萬輛，2019年6月份，其產(chǎn)能將達到10萬片/月，年供給新動力汽車可達120萬輛，將很大年夜大年夜程度上減緩新動力汽車IGBT芯片供給貧乏結果。

比亞迪一向懷著協(xié)作、共贏的心態(tài)，與英飛凌、三菱兩大年夜大年夜國際巨擘既是競爭敵手，也異常是異常好的協(xié)作火伴，在國際共同盡力的前提下，進一步促進IGBT的快速發(fā)展。與此同時，比亞迪也將為其他新動力汽車廠商供給芯片，今朝，比亞迪首要應用1200V擊穿電壓的芯片，而國際大年夜大年夜局部新動力汽車廠商所應用的是650V和750V電壓的芯片，比亞迪也將在2019年1月份，垂垂為其他汽車廠商婚配照顧電壓的IGBT芯片，助理國際新動力汽車早日擺脫國際壟斷。

比亞迪還推出了雙面散熱水冷模塊，其節(jié)制器功率密度晉升一倍，代表了全球最前輩的IGBT程度。與此同時，比亞迪還布局第三代半導體資料SiC，今朝已大年夜大年夜范圍用于車載電源,2019歲尾將推出中國首輛搭載SiC電控的電動車。估計在2023年采納SiC基半導體周全替代硅基半導體，引領下一代電動車芯片改革。