目前，晶體硅太陽(yáng)電池被廣泛應(yīng)用，占據(jù)太陽(yáng)電池的主要市場(chǎng)。但是，晶體目前，晶體硅太陽(yáng)電池被廣泛應(yīng)用，占據(jù)太陽(yáng)電池的主要市場(chǎng)。但是，晶體硅太陽(yáng)電池存在著固有弱點(diǎn)：硅材料的禁帶寬度Eg=1.12eV，太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換理效率相對(duì)較低；硅材料是間接能帶材料，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)，硅的光吸收系數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其他太陽(yáng)能光電材料，如同樣吸收95%的太陽(yáng)光，GaAs太陽(yáng)電池只需要5～10微米的厚度，而硅太陽(yáng)電池則需要150微米以上的厚度；因此，在制備晶體硅太陽(yáng)電池時(shí)，硅片的厚度150～200微米以上，才能有效地吸收太陽(yáng)能；晶體硅材料需要經(jīng)過(guò)多次提純，相對(duì)成本較高；硅太陽(yáng)電池尺寸相對(duì)較小，若組成光伏系統(tǒng)，要用數(shù)十個(gè)相同的硅太陽(yáng)電池連接起來(lái)，造成系統(tǒng)的成本較高。因此，薄膜太陽(yáng)電池就引起了人們的興趣，并有了一定程度的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。