日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的光伏發(fā)電工學(xué)研究中心2012年五月24～二十五日在筑波國(guó)際會(huì)議中心舉辦了成果報(bào)告會(huì)。會(huì)上公布了可抑制薄膜硅型太陽(yáng)能電池光劣化的方法。日本產(chǎn)綜研采用此次方法試制了薄膜硅型太陽(yáng)能電池，發(fā)現(xiàn)該方法可將光劣化率抑制在10%、獲得9.6%的轉(zhuǎn)換效率。今后計(jì)劃通過改進(jìn)光密封技術(shù)等，使轉(zhuǎn)換效率超過目前全球最高值的10.1%。

在薄膜硅型太陽(yáng)能電池中做為發(fā)電層的非晶硅層，存在照射光線后特性就會(huì)劣化的致命性問題(產(chǎn)綜研)。這導(dǎo)致設(shè)置薄膜硅型太陽(yáng)能電池模塊并照射光線后的轉(zhuǎn)換效率，普遍比剛制造完時(shí)降低19%左右。

光劣化的原因在于非晶硅層的成膜過程。利用以SiH4為原料的等離子CVD進(jìn)行成膜時(shí)，等離子出現(xiàn)的高硅烷(HOS簇)會(huì)進(jìn)入膜中，引起光劣化。

因此，日本產(chǎn)綜研將等離子CVD反應(yīng)器內(nèi)用網(wǎng)狀金屬隔開，使等離子區(qū)遠(yuǎn)離基板。這樣擴(kuò)散速度較慢的簇狀高硅烷就會(huì)被排出去，不會(huì)到達(dá)基板。

另外，此次方法的最大課題是成膜速度變慢。普通的成膜速度在0.3nm/sec左右，而此次方法則降至0.03nm/sec，僅為前者的1/10。據(jù)介紹，這點(diǎn)可通過新增氣體流量等改進(jìn)措施加以改善。