1引言

目前伴隨著便攜移動設備的快速發(fā)展，電源芯片得到更廣泛的應用，LDO芯片即是一種重要的電源芯片。但在發(fā)生輸出短路或負載電流過大的情況，LDO穩(wěn)壓器可能會損壞，特別是在短路情況下，LDO存在過大的電流從調整管通過，進而可能燒壞調整管致使芯片無法工作。因此需要設計一種用于LDO穩(wěn)壓器的限流電路，能在過載或短路情況下及時關閉電源系統(tǒng)。

2電路結構

這種限流電路的主要結構包括:電流采樣電路、電流比較電路和基準源電路。如圖1所示，它將從LDO輸出電路得到的采樣電流，與基準電流(鏡像于基準源)作比較。根據實際需要，設定當輸出驅動電流大于100mA時，采樣電流大于基準電流，比較器翻轉輸出低電平，經反相器整形后得到邏輯0，由此LDO被關閉，從而實現(xiàn)限流功能。

2.1電流采樣電路

如圖1所示，電流采樣電路包括Mp5、Mp4、Mp3、MN2和MN1。因為Mp5和Mp6均工作在飽和區(qū)，為了使Mp5更好地等比例鏡像LDO的調整管(pMOS驅動管)Mp6的電流，特使用MN1、MN2、Mp3和Mp4組成自偏置的鏡像陣列，以保證VX=VY，Vds_p5=Vds_p6。所以根據飽和區(qū)電流公式得到，N1I_p5=N1Is=N1Is1=I_p6。為使M3電流與Is更好的匹配，根據經驗值并考慮功耗因素，特意將MN1、MN2和M3的過飽和電壓提高到0.3V。

圖1電流采樣電路與電流比較電路

2.2電流比較電路

電流比較電路由電壓比較器A1，若干電阻和MOS管構成。參考圖2可知，電流比較電路的左半部分將電流轉化為電壓，而A1比較兩者電壓差給出判斷電壓Vc。

圖2比較器A1電路

因為M1，M2和M3均工作在飽和區(qū)，有

Is=N2×Is2=N2×I1=N2×IR1。

VA=VDD-Vsg1-IR1×R1;

VB=VDD-Vsg2-IR2×R2

由此可得：

為了簡便計算，設當Vd=0時，公式(1)中前一個括號和后一個括號分別為零，那么整理后得到，代入輸出電流Io和基準電流Ir后得到：

當Io=100mA時，Vd=0，比較器A1翻轉，LDO關閉。設定N1=200，N2=4，M=4，Ir=10uA，得到M1和M2的寬長比之比和R1與R2的電阻之比。

那么利用pMOS的飽和區(qū)電流公式可得M1與M2的具體尺寸。為使此時電壓比較器A1性能更佳，設定VB為VDD的一半，可求出R2阻值，再根據公式(2)得到的電阻比例，便可得到R1阻值。

另外，為使限流電路能應用在較復雜的電源條件下，當電荷泵充當電源時，該電路設計一方面提高A1的pSRR，另一方面如上所述，利用M1、M2管和電阻R1、R2，降低電源VDD的抖動對A1輸入端的影響。

在輸出端加入退耦電容Cde，以防止高頻干擾產生誤判斷。

為提高pSRR參數(shù)，A1選擇跨導放大電路，并且增大pMOS的溝道長度。同時為抑制噪聲干擾，在尾電流一定的條件下，增大輸入差分對的寬長比。

利用Hspice仿真得到比較器A1的幅頻曲線和pSRR，如圖3所示。

圖3比較器A1的幅頻曲線和pSRR曲線

由此可知，這種比較器低頻增益為60db，pSRR約為160db，當頻率為1M時增益大于40db，而pSRR大于80db，所以比較器能夠滿足限流性能要求。

2.3基準源

基準源電路采用倍乘基準自偏置電路。

圖4中NMOS采用共源共柵結構，用以降低電源波動對基準電流的影響。

圖4基準源電路。

由圖可推得基準電流：

因為溝道調制效應對長溝道器件影響比對短溝道器件影響小，因而在設計基準源及其相關電流鏡時，MOS管的溝道長度為最小尺寸的15倍。同時利用dummy管和差指MOS管等版圖技術，來進一步保證鏡像過程中的電流匹配。

3性能參數(shù)和結果

將以上設計的限流電路嵌入某穩(wěn)壓芯片(內含電荷泵電路)中，實現(xiàn)流片量產(CMOS工藝)。當VDD=3V時，通過測量量產芯片得到輸出電流極限數(shù)據。統(tǒng)計如圖5所示，可知當輸出電流處于100~120mA范圍內時，限流電路開始工作，關閉系統(tǒng)即保護LDO安全。由此可見，本設計電路結構簡單，功能可靠,可廣泛應用于電源芯片中。

圖5統(tǒng)計圖